提供サービス

サービス内容

ARIM-SETIでは、半導体デバイスで利用する新規材料、新材料や新機能・特殊な構造をもつデバイス・集積回路およびそれらの高密度集積、集積回路を利用した応用システムの研究開発を幅広く支援します。

CMOS集積回路とセンサ等の集積化デバイス・材料・プロセス

CMOS集積回路やセンサ等との集積化デバイスの設計・試作・評価、材料・プロセスの研究開発を支援します。

SiC/GaN等のパワー半導体デバイス・材料・プロセス

ワイドバンドギャップ半導体であるSiCやGaN等によるパワー半導体デバイスの設計・試作・評価、材料・プロセスの研究開発を支援します。

次世代ロジック集積回路のための２D半導体デバイス・材料・プロセス

MoS₂などの硫化物、グラフェン、ｈBNなどの2D半導体のデバイス試作、材料・プロセスの研究開発を支援します。

次世代通信6Gに向けた高周波半導体デバイス・材料・プロセス

数10GHz～THz帯の高周波半導体デバイスやアンテナ等とそれらの集積化技術、材料・プロセスの研究開発を支援します。

光電融合

次世代半導体チップでの光-電気変換や信号伝送のための半導体レーザや光導波路等のデバイス・要素、光集積回路、材料・プロセスの研究開発を支援します。

太陽電池

Si、III-V族、ペロブスカイト、量子ドットなどの多様な次世代太陽電池について、材料やプロセスを中心とした研究開発を支援します。

その他

有機半導体、次世代メモリ、スピントロニクスデバイス、量子デバイスなどの試作、材料・プロセスの研究開発を支援します。また、特徴的な評価技術として、極低温環境下評価、生体適合性評価、SPring-8やX線回折によるプロセスのその場解析、欠陥・歪み分布の可視化、電子顕微鏡による高感度電位・電荷計測などが利用可能です。

提供サービス一覧

ARIM-SETI_提供サービス一覧表 [PDF形式／75.44KB]

設計・試作サービス

※実施機関名をクリックすると、機関ごとの提供サービスページが開きます。

• CMOS回路設計（東北大、東大、豊技大、広島大、京大）
• アナログ回路設計（東北大、東大、豊技大、広島大）
• デジタル回路設計（東北大、豊技大、広島大）
• MEMS（東大、豊技大、広島大、産総研）
• トランジスタ設計・試作（東北大、豊技大、広島大、北大、NIMS、科学大、名大、京大、筑波大、産総研、北陸先端大、分子研）
• フォトニクス（東北大、豊技大、広島大、NIMS）
• シリコン光導波路（東北大、豊技大、広島大、科学大、京大）
• 混載LSI設計・試作・評価（東大、豊技大、広島大）

加工サービス

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• CVD成膜（豊技大、広島大、北大、NIMS、名大、京大、産総研、名工大、豊田工大）
• ALD成膜（広島大、北大、NIMS、京大、産総研）
• 多層配線形成（東北大、豊技大、広島大）
• FIB加工（東北大、北大、NIMS、名大、京大、九大、筑波大、北陸先端大）
• エッチング（豊技大、広島大、NIMS、名大、京大、電通大）
• ナノインプリント（京大）

評価サービス

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• パワー半導体評価（広島大、名大、京大、筑波大、産総研、早大）
• MOSFET評価（豊技大、広島大、科学大、名大、京大、筑波大、産総研、早大、北陸先端大）
• 電気特性評価（東北大、豊技大、広島大、NIMS、名大、京大、千歳科技大、筑波大、産総研、早大、分子研）
• X線分析（広島大、北大、NIMS、京大、信州大、名工大、分子研、QST）
• X線光電子分光（XPS）（広島大、NIMS、名大、筑波大、産総研、北陸先端大、名工大、分子研）
• 分光分析（広島大、北大、NIMS、名大、京大、筑波大、産総研、北陸先端大、名工大、分子研、QST）
• ラマン分光（NIMS、千歳科技大）
• 透過型電子顕微鏡（TEM）（東北大、NIMS、名大、京大、阪大、九大、北陸先端大、奈良先端大）
• 走査型電子顕微鏡（SEM）（東北大、広島大、NIMS、名大、京大、九大、北陸先端大、香川大）
• 原子間力顕微鏡（AFM）（広島大、NIMS、名大、京大、北陸先端大）
• レオロジー評価（山形大）
• 界面評価（広島大、JAEA）

機関ごとの提供サービス

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