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提供開始しているサービス
設計
- CMOS集積回路と高付加価値機能（センサ、フォトニクスなど）の集積化のための設計
- パワーデバイス設計（SiC、GaNなど）
試作
- CMOS集積回路（ゲート長：0.1μm、0.18μm、5 μm（人材育成プログラム用））、SiC/GaNパワー半導体デバイス
- 東大VDECなどで試作したCMOS集積回路と高付加価値機能を集積化したデバイス
- トランジスタ（Si、GaN、SiC、ダイヤモンド、酸化物など）
評価
- CMOS集積回路/MOSFETs/パワー半導体デバイス(3kV耐圧）電気特性測定・評価
今後提供予定のサービス
未定