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提供を予定しているサービス（実施体制が整い次第提供予定）
設計
- CMOS集積回路と高付加価値機能（センサ、フォトニクスなど）の集積化のための設計
- 不純物プロファイル、動作ポテンシャルの設計・解析(TCAD, Spectra)
試作
- 集積回路試作(φ4インチウェーハまで。ゲート長：1.5μm、5μm。)
CMOS集積回路
CMOS/JFET混載集積回路
集積回路とMEMS/センサ、機能性材料との集積化デバイス
電位検出型マルチモーダルセンサアレイ(光、イオン、圧力など) - デバイス試作
GaN、GaN/Siデバイス(μLED、μLEDアレイ)
化合物半導体を用いた光デバイス(LED、太陽電池)
光導波路(Si,SiGe加工)
MEMS、流路、μTASデバイス - パッケージング(ウェーハダイシング、ボンディング)
- 教育プログラム
社会人、学生向けの集積回路技術講座（n-MOS集積回路プロセスから評価まで：5日間）
評価
- ウェーハプロセス評価（薄膜膜厚測定、段差測定、CD測定、観察）
- MOSFET、CMOS集積回路 電気特性測定・評価
今後提供予定のサービス
設計
- 試作デバイスからの設計・デバイスパラメータ抽出と設計への反映（R8年度中）
試作
- φ8インチウェーハ対応微細加工（R8年度中）
評価
- φ8インチ対応ウェーハプロセス評価（薄膜膜厚測定、段差測定、CD測定、観察）(R8年度中)