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提供開始しているサービス

設計

• CMOS集積回路と高付加価値機能（センサ、フォトニクスなど）の集積化のための設計
• パワーデバイス設計（SiC、GaNなど）

試作

• CMOS集積回路（ゲート長：0.1μm、0.18μm、5 μm（人材育成プログラム用））、SiC/GaNパワー半導体デバイス
• 東大VDECなどで試作したCMOS集積回路と高付加価値機能を集積化したデバイス
• トランジスタ（Si、GaN、SiC、ダイヤモンド、酸化物など）

評価

• CMOS集積回路/MOSFETs/パワー半導体デバイス(3kV耐圧）電気特性測定・評価

今後提供予定のサービス

未定