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データセット名:異種材料集積ハイブリッド光回路の作製 -300mmウェハのウエハレベルプロービングによる光導波路特性評価-

課題名:異種材料集積ハイブリッド光回路の作製

データセット登録者(所属機関):東工大 西山(東京工業大学)

課題番号:
JPMXP1223IT0005
実施機関:
東京科学大学(旧東京工業大学)

要約

異種材料集積を利用した大規模光集積回路の実現に向けたシリコンフォトニクス回路のプロセス及び評価技術確立を目的として、産総研スーパークリーンルームのシリコンフォトニクスプロセスを用いて300 mmシリコンウエハ上に形成した導波路デバイスのウエハレベルプロービングシステムによる評価を試みた。
 今回、幅440 nm、高さ220 nmの細線導波路構造を有する導波路デバイスについて、C帯における透過率を測定しカットバック法により伝搬損失の抽出を行った結果、評価した全64デバイスのすべてが1,550 nmにおける導波路損1 dB/cm以下の良好な損失特性を示すことが分かった。今回の評価により、シリコンフォトニクス回路プロセス及び評価技術の性能及びその再現性について重要な知見が得られた。

Si細線導波路損の300mmウエハ面内特性

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データメトリックス

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データインデックス

登録日:
2025.07.09
エンバーゴ解除日:
2024.03.31
データセットID:
be6768e6-dd04-4dba-b019-1296fca37feb
データタイル数:
1
ファイル数:
ファイルサイズ:
453.66KB

成果発表・成果利用