新着順
表示件数
表示順
レーザー顕微鏡によるPTAAのラマン分光- 課題名:
- 阪大 産研 スタッフデータ 2025
- 課題番号:
- JPMXP1225OS9001
- ファイル数:
- 24
- 実施機関:
- 大阪大学
- 装置・プロセス:
-
OS-127:レーザーラマン顕微鏡
- 登録日:
- 2026.3.3
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
ダウンロードの説明
クリックするとファイル群をダウンロードすることができます。
トライボフィルム断面のSTEM-EDS分析- 課題名:
- ナノ構造評価技術開発
- 課題番号:
- JPMXP1225NM2102
- ファイル数:
- 80
- 実施機関:
- 物質・材料研究機構
- 装置・プロセス:
-
NM-502:実動環境対応電子線ホログラフィー電子顕微鏡
NM-517:FIB/SEM精密微細加工装置(Helios 650)
- 登録日:
- 2026.3.3
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
ダウンロードの説明
クリックするとファイル群をダウンロードすることができます。
- i線ステッパ露光パターンエッチングおよびパターンサイズ1.0μm以下へのアルミ配線形成状況_Process flow
- 課題名:
- アルミ配線(線幅1.0μm以下)及び絶縁膜(TEOS膜)の形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5004
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
プロセスフロー
- 登録日:
- 2026.2.25
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- i線ステッパ露光パターンエッチングおよびパターンサイズ1.0μm以下へのアルミ配線形成状況_Wet cleaning_etch
- 課題名:
- アルミ配線(線幅1.0μm以下)及び絶縁膜(TEOS膜)の形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5004
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-211:プラズマクリーナー
TU-002:有機ドラフトチャンバー
TU-004:スピン乾燥機
TU-315:断面SEM
- 登録日:
- 2026.2.25
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- i線ステッパ露光パターンエッチングおよびパターンサイズ1.0μm以下へのアルミ配線形成状況_RIE
- 課題名:
- アルミ配線(線幅1.0μm以下)及び絶縁膜(TEOS膜)の形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5004
- ファイル数:
- 27
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-206:アルバックICP-RIE#2
- 登録日:
- 2026.2.25
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- i線ステッパ露光パターンエッチングおよびパターンサイズ1.0μm以下へのアルミ配線形成状況_Lithography
- 課題名:
- アルミ配線(線幅1.0μm以下)及び絶縁膜(TEOS膜)の形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5004
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-062:コータデベロッパ
TU-063:i線ステッパ
TU-060:現像ドラフト
- 登録日:
- 2026.2.25
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- i線ステッパ露光パターンエッチングおよびパターンサイズ1.0μm以下へのアルミ配線形成状況_Evaporation
- 課題名:
- アルミ配線(線幅1.0μm以下)及び絶縁膜(TEOS膜)の形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5004
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-167:電子ビーム蒸着装置
- 登録日:
- 2026.2.25
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- i線ステッパ露光パターンエッチングおよびパターンサイズ1.0μm以下へのアルミ配線形成状況_CVD
- 課題名:
- アルミ配線(線幅1.0μm以下)及び絶縁膜(TEOS膜)の形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5004
- ファイル数:
- 39
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-154:住友精密TEOS PECVD
TU-302:膜厚計
- 登録日:
- 2026.2.25
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
Arイオンビームミリング法によるピラー加工形状の基板傾斜角による違いと時間変化- 課題名:
- SiO2のドライエッチング
- 課題番号:
- JPMXP1225NM2010
- ファイル数:
- 79
- 実施機関:
- 物質・材料研究機構
- 装置・プロセス:
-
NM-669:イオンビームミリング複合装置 [16IBE-NIMS_SS]
- 登録日:
- 2026.2.24
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
ダウンロードの説明
クリックするとファイル群をダウンロードすることができます。
イオンビームミリングによるAu薄膜加工- 課題名:
- イオンビームミリングによるAu薄膜加工
- 課題番号:
- JPMXP1225NM2016
- ファイル数:
- 78
- 実施機関:
- 物質・材料研究機構
- 装置・プロセス:
-
NM-669:イオンビームミリング複合装置 [16IBE-NIMS_SS]
- 登録日:
- 2026.2.24
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
ダウンロードの説明
クリックするとファイル群をダウンロードすることができます。
成膜装置による膜特性の差異確認(2022年度:PD-220)- 課題名:
- 成膜装置による膜特性の差異確認
- 課題番号:
- JPMXP1222WS0004
- ファイル数:
- 32
- 実施機関:
- 早稲田大学
- 装置・プロセス:
-
WS-030:プラズマCVD装置
- 登録日:
- 2026.2.19
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- マイクロギアの試作_DRIE
- 課題名:
- マイクロギアの試作
- 課題番号:
- JPMXP1224GA0121
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 香川大学
- 装置・プロセス:
- 登録日:
- 2026.2.19
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- SQUID(MPMS-XL7)によるキラル磁性体の磁気物性測定
- 課題名:
- キラル磁性体の磁気物性
- 課題番号:
- JPMXP1222MS1047
- ファイル数:
- 23
- 実施機関:
- 自然科学研究機構
- 装置・プロセス:
-
MS-219:SQUID(MPMS-XL7)
- 登録日:
- 2026.2.18
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- Ni-GaAsの原子分解能STEM像
- 課題名:
- 化合物半導体デバイスの分析
- 課題番号:
- JPMXP1223OS0013
- ファイル数:
- 6
- 実施機関:
- 大阪大学
- 装置・プロセス:
-
OS-003:200kV原子分解能走査透過分析電子顕微鏡
- 登録日:
- 2026.2.18
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- 積層配線_Au120_Pt170_Ti30_processflow_
- 課題名:
- リフトオフプロセスによるAuPtTi配線形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5022
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
プロセスフロー
- 登録日:
- 2026.2.16
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- 積層配線_Au120_Pt170_Ti30_lithography_
- 課題名:
- リフトオフプロセスによるAuPtTi配線形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5022
- ファイル数:
- 6
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-069:両面アライナ(8")
TU-060:現像ドラフト
TU-211:プラズマクリーナー
TU-306:Tencor 段差計
TU-308:デジタル顕微鏡
- 登録日:
- 2026.2.16
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- 積層配線_Au120_Pt170_Ti30_cleaning_liftoff_
- 課題名:
- リフトオフプロセスによるAuPtTi配線形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5022
- ファイル数:
- 11
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-001:エッチングチャンバー
TU-002:有機ドラフトチャンバー
- 登録日:
- 2026.2.16
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- 積層配線_Au220_Pt50_Ti40_processflow_
- 課題名:
- リフトオフプロセスによるAuPtTi配線形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5022
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
プロセスフロー
- 登録日:
- 2026.2.16
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- 積層配線_Au220_Pt50_Ti40_lithography_
- 課題名:
- リフトオフプロセスによるAuPtTi配線形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5022
- ファイル数:
- 6
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-069:両面アライナ(8")
TU-060:現像ドラフト
TU-211:プラズマクリーナー
TU-306:Tencor 段差計
TU-308:デジタル顕微鏡
- 登録日:
- 2026.2.16
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential
- 積層配線_Au220_Pt50_Ti40_sputtering_
- 課題名:
- リフトオフプロセスによるAuPtTi配線形成
- 課題番号:
- JPMXP1225TU5022
- ファイル数:
- 4
- 実施機関:
- 東北大学
- 装置・プロセス:
-
TU-159:芝浦スパッタ装置(冷却型)
TU-320:4探針測定装置
- 登録日:
- 2026.2.16
ライセンスレベルの説明
ライセンスレベル
Level1:Open
Level2:Sample
Level3:License
Level4:Restricted
Level5:Confidential