データセット名：成膜装置による膜特性の差異確認(2022年度:EBX-6D)
課題名：成膜装置による膜特性の差異確認
データセット登録者（所属機関）：HOSHINO, Katsumi（早稲田大学）
- 課題番号：
- JPMXP1222WS0004
- 実施機関：
- 早稲田大学
要約
早稲田大学ナノテクノロジー研究センターに設置してある成膜設備間の膜特性の違いを明確にする目的で、SiO₂およびAl₂O₃の絶縁膜について光学特性と絶縁耐圧強度を測定した。成膜には電子ビーム蒸着、イオンビームスパッタ、プラズマCVD、ALD装置を用い、膜厚は20nmと30nmで比較した。イオンビームスパッタ装置で作製した膜は他と比べて屈折率が高く、消衰係数がゼロにならない傾向が見られた。絶縁耐圧強度は、プラズマCVD装置およびALD装置で作製した膜において高い値を示し、装置構成や成膜温度が膜質に影響している可能性が示唆された。今後、膜分析により詳細な原因の特定を進める予定である。ここでは電子ビーム蒸着装置（EBX-6D）の条件を示す。
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2024.11.11
- エンバーゴ解除日：
- 2024.09.30
- データセットID：
- 249c836b-fd07-43b4-8f30-aa062593da09
- データタイル数：
- 8
- ファイル数：
- 42
- ファイルサイズ：
- 547.85KB