【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.04.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5095
利用課題名 / Title
絶縁膜形成技術の研究
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
キャパシタ, MOS, 原子層堆積法,原子薄膜/ Atomic thin film,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
生田目 俊秀
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
澤田朋実
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大井暁彦,池田直樹,浦野絵里,尾崎康子
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-655:分光エリプソメーター [M2000]
NM-638:水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
NM-654:触針式プロファイラー [Dektak 6M]
NM-604:マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
NM-645:ICP-RIE装置 [CE300I]
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
LOCOS付Si基板上へ作製した絶縁膜の電気的な特性を調べるために、Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) キャパシタを検討した。
実験 / Experimental
LOCOS付Si基板からなるMOS キャパシタを次作製した。SiO2保護膜付Siウエハを、レジスト保護膜作製した後に、先ずチップ化した。チップ基板にフォトリソグラフィー で開口部を形成した。開口部を含めた基板全面に原子層堆積法で絶縁膜を作製して後に、フォトリ ソプロセス及びスパッタ法を用いて、ゲート電極を作製して、MOSキャパシタを作 製した。
結果と考察 / Results and Discussion
SiO2保護膜付Siウエハからチップした基板をフォトリソプロセスで径の異なる種々の開口部を有するLOCOS付Si基板の作製を試みた結果、フォトリソプロセス の精度が開口部の精度に直結する事が分かった。このLOCOS付Si基板を用いたMOSキャパシタの作製は比較的、容易であることが分かった。また、原子層堆積法で成膜した絶縁膜の電気的な特性は、LOCOS開口部の面積と関係している事が分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件