ICP-RIE装置 [CE300I]
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最終更新日：2025年11月28日
| 設備ID | NM-645 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ICP-RIE装置 [CE300I] (ICP-RIE [CE300I]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟 503号室 |
| メーカー名 | 株式会社アルバック (ULVAC, Inc.) |
| 型番 | CE300I |
| キーワード | RIE、誘導結合、ICP、塩素系ガス、フッ素系ガス、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ・エッチングガス：Ar、O2、SF6、Cl2、 BCl3、｛CF4、CHF3、C4F8のうち一つ｝ ・圧力：0.1～13.3 Pa ・ICP-RF：最大1kW ・バイアス-RF：最大300W ・基板寸法：最大152 mmφ |
| 設備状況 | 共用を終了した設備です |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=NM-645 |
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