【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.15】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24TU0223

利用課題名 / Title

半球プリズムデバイスの開発

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

電子線リソグラフィ/ EB lithography,ナノ多孔体/ Nanoporuous material,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

田巻 匡基

所属名 / Affiliation

出光興産株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

邉見政浩

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-064：エリオニクス 130kV EB描画装置
TU-051：ミカサ スピンコータ
TU-001：エッチングチャンバー
TU-054：ホットプレート
TU-211：プラズマクリーナー

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

Si半球プリズムデバイス作製のため，φ10mmの半球プリズムの平面側へのリソグラフ加工を試みた．

実験 / Experimental

・洗浄したφ10mmの半球プリズムの平面側を，OAP処理を行った後、電子線用レジスト（ZEP520A）を塗布した．
・レジストエリオニクス 130kV EB描画装置を用いて描写を試みた．

結果と考察 / Results and Discussion

・EB描画装置にレジスト塗布した半球プリズムをセットし、EB描画を試みた．結果，EB描画装置のハイトセンサーが認識せず，描写ができなかった．これは装置が半球プリズムの高さ（5 mm）に対応していない，又は描写面積が固定治具に比べて狭い，又は描写面の水平が取れていないためと推察される．
・支援担当者に相談の結果，半球プリズムとリソグラフ加工したSiウエハの直接溶着法や，特殊構造のリソグラフを行っている研究室の紹介を頂いた．

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件