【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.07】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NM5099
利用課題名 / Title
金属/絶縁膜形成技術の研究
利用した実施機関 / Support Institute
物質・材料研究機構 / NIMS
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
原子層堆積法, ゲート絶縁膜, キャパシタ,原子薄膜/ Atomic thin film,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
生田目 俊秀
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
大井暁彦,池田直樹,浦野絵里,尾崎康子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NM-655：分光エリプソメーター [M2000]
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
NM-646：赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
NM-641：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
NM-657：室温プローバー [HMP-400]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Si及びGaNエピ基板上へ原子層堆積法で作製した絶縁膜の電気的な特性を調べるためにMetal-Oxide-Semiconductor (MOS) キャパシタを検討した。
実験 / Experimental
Si及びGaNエピ基板からなるMetal-Oxide-Semiconductor (MOS) キャパシタを次の手 順で作製した。先ず、Si及びGaNエピ基板はSPM/HF溶液で表面洗浄した。続いて、原子層堆積法で、ゲート絶縁膜を作製した後に、電子銃型蒸着装置及びスパッタ法を用いて、ゲート電極を作製して、MOSキャパシタを作 製した。
結果と考察 / Results and Discussion
Si基板からなるMOSキャパシタは、表面洗浄することで、原子層堆積法で絶縁膜を作製した後も、安定してMOSキャパシタを作製できた。GaNエピ基板は小さなサイズのために、洗浄から原子層堆積法での絶縁膜の成膜、最後にゲート電極及び裏面コンタクト膜の作製まで、基板のへりのみ治具が触れる工夫をする事で、MOSキャパシタを安定して作製できた。このGaN MOSキャパシタを用いて、C-V特性及びI-V特性を評価して、得られたデータを基に論文にまとめた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Yoshihiro Irokawa, Communication—A Powerful Method to Improve Dielectric/GaN Interface Properties: A Dummy SiO2 Process, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 13, 085003(2024).
DOI: 10.1149/2162-8777/ad6fd2
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件