【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.07】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM5097

利用課題名 / Title

原子層堆積技術の研究

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

原子層堆積法, 分光エリプソメトリ―, ナノラミネート膜,原子薄膜/ Atomic thin film,ALD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

生田目 俊秀

所属名 / Affiliation

物質・材料研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

宮本真奈美

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

大井暁彦,池田直樹,浦野絵里,尾崎康子

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-655：分光エリプソメーター [M2000]
NM-646：赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

酸化剤としてH2O及びplasma O2を用いた原子層堆積装置を用いて、種々の酸化膜の成膜を検討した。

実験 / Experimental

同一元素の原料ガスを変えた原子層堆積法で、成長温度とALDサイクルをパラメータとして6インチSiウエハへ酸化膜を成膜した。酸化膜の膜厚はエリプソ測定を用いて、複数点の場所を測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

H2O酸化剤ガスを用いた原子層堆積装置で、成長温度を150～300℃と変えた。各成長温度で、ALDサイクルと膜は直線関係を満足して、得られた成長速度 (Growth per cycle: GPC) は、報告例と比較しながら妥当な値であることが分かった。O2 plasmaガスの場合も同様のALD実験を行い、予定したデータを取得できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件