【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.11】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NM0178

利用課題名 / Title

二次元ナノ材料を用いた農業用センサの開発

利用した実施機関 / Support Institute

物質・材料研究機構 / NIMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

PVD,原子層薄膜/ Atomic layer thin film,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

金 冑男

所属名 / Affiliation

農業・食品産業技術総合研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NM-664：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]
NM-626：触針式プロファイラー [Dektak XT-A #1]
NM-667：FE-SEM+EDX [JSM-IT800]
NM-630：室温プローバー [MX-200/B]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

非貴金属上での二次元材料薄膜の成膜に関する研究のため、MoS2二次元材料薄膜の成膜用の前駆体であるMo薄膜をシリコン酸化膜の上にスパッタし、Mo薄膜の硫化によるMoS2薄膜の成膜及びその結晶性の依存性について研究を行った。

実験 / Experimental

洗浄およびピラニア溶液にて表面処理を行ったシリコン酸化膜上にMoをスパッタ装置で成膜した。
その際に、成膜時の加熱による影響を調べるため、保有装置で可能な最大温度である300度での加熱と非加熱の二種類のサンプル作製を行った。
成膜した薄膜の厚さを調べるため、Tap modeでの装置を用いた。

結果と考察 / Results and Discussion

Mo薄膜は基板全体にむらが少なく、均一に成膜された。
見た目では加熱による影響は見られず、厚さの変化にも及ばなかった。
Moの再結晶温度８００度を考慮すると、加熱温度が低すぎるため、今後より大きな結晶を持つ薄膜を得るためには８００度以上の加熱必要だと考えられる。
また、MoS2成膜に関しても差が見られなかったため、工程時間の短縮のために非加熱Mo基板を用いることにする。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件