【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT1259
利用課題名 / Title
光半導体製造プロセスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
触針段差計,光デバイス/ Optical Device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
吉田 琢真
所属名 / Affiliation
東京大学大学院工学研究科機械工学専攻
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UT-800：クリーンドラフト潤沢超純水付
UT-703：8インチ汎用スパッタ装置
UT-850：形状・膜厚・電気特性評価装置群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光半導体プロセス開発を目的として、複数材料のエッチング実験を行う。従来のプロセスにSiO2を犠牲層として用いたリフトオフプロセスを追加することを検討しており、従来プロセスで使用している下地材料(SiN, InP, InGaAsP)が犠牲層エッチャントであるBHFに対して十分エッチング耐性を持つことを確認する必要がある。本検討では、犠牲層エッチャントであるBHFに対する下地材料と犠牲層のエッチングレートを確認するため、エッチング実験を行った。
実験 / Experimental
ドラフト装置を用いて、レジストマスクを上面に形成したSiN, InP, InGaAsP, SiO2をBHFにてウェットエッチングし、レジストマスク除去後に段差膜厚計にてエッチング段差を測定し、エッチングレートの評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
BHFに対する各材料のエッチングレートを表1に示す。SiO2のエッチングレートは126.6nm/minであるのに対して、SiNのエッチングレートは8.7nm/minと1/10未満であった。InPとInGaAsPについては、エッチング段差が段差膜厚計の分解能以下であり、レート評価不可であった。以上の結果から下地材料であるSiN, InP, InGaAsPはBHFに対して十分なエッチングレートを持つことを確認した。そのため、SiO2は犠牲層材料として適しているといえる。今後、SiO2犠牲層を用いた新プロセスの検討を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1 BHFに対する各材料のエッチングレート
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件