【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0156
利用課題名 / Title
微細構造の製造技術
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
光デバイス/ Optical Device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
細谷 成紀
所属名 / Affiliation
株式会社タムロン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐藤 平道
利用形態 / Support Type
(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub),機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
近年、製品への機能性付与を目的として、物体表面に微細構造を形成する技術の開発が盛んに行われている。本研究では、Al_TiN積層型ワイヤグリッド偏光子のプロセス開発のため、Al_TiN層のドライエッチングをいくつかの条件で行い、結果を考察した。
実験 / Experimental
洗浄したガラス基板に対し、まずAl膜300nm、TiN膜20nmの順でスパッタ成膜した。次に、レジストをスピンコートで膜厚580nmになるように塗布し、90度でベークした。このサンプルをi線リソグラフィによって、周期250nmL/Sのパターンを露光したのち、現像を行った。最後に化合物半導体エッチング装置(ICP-RIE)で、Al/TiN膜(2層膜)のドライエッチングを行った。この時のエッチングガスはCl2単体、ないしCl2,BCl3混合ガスとした。処理後、サンプルの観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
まず、Cl2 5sccm、BCl3 15sccmで2minエッチングを行ったサンプルでは、目視にて光で透過しておらず、エッチングが基盤層まで到達していないことがわかる。また目視にてTiN層の光沢色も失われ、Al層の光沢色が表れていることから、プロセス中にレジスト層及びTiN層が消失したと考えられる。次にCl2 10sccmで1minエッチングしたサンプルは、サンプルに直線偏光を入射した際、サンプルの向きによって光が透過または消光することから、偏光子としての機能が得られていることが確認できた。次にこのサンプルのSEM像をFig.1に示した。Fig.1からワイヤグリッドのパターンが形成できていることが確認できる。以上のことから、Cl2単体でのエッチングではCl2,BCl3混合ガスのエッチングに比べを選択比が高いことが考えられる。今後、サンプル間のエッチング時間のばらつきや、エッチングの真直性を条件の最適化によって行っていく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 エッチングサンプルのSEM像
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件