化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE）
最終更新日：2022年6月14日
| 設備ID | AT-082 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE） (ICP-RIE (Compound Semiconductors)) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-400iPS |
| キーワード | エッチング 反応性イオンエッチング プラズマエッチング 異方性エッチング 塩素系ガス |
| 仕様・特徴 | ・型式:RIE-400iPS ・試料サイズ:４インチ ・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP) ・試料導入方式:ロードロック式 ・高周波電源:最大500W （13.56MHz） ・バイアス高周波電源:最大300W（13.56MHz） ・使用ガス:Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4、SF6 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=AT-082 |
