【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0119
利用課題名 / Title
SiC基板への電極パターン形成
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
パワーエレクトロニクス/ Power electronics,光学顕微鏡/ Optical microscope,リソグラフィ/ Lithography,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,エレクトロデバイス/ Electronic device,スパッタリング/ Sputtering,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
妹川 要
所属名 / Affiliation
ギガフォトン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
杉山 和義
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-006：マスクレス露光装置
AT-025：スパッタ成膜装置(芝浦）
AT-061：短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100]
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SiCにて電極パターン形成とコンタクト抵抗評価を行うため、電極形成プロセスの最適条件を見出す。
実験 / Experimental
Si基板（2インチ）にて電極（Al/Ti）形成評価した。露光条件を振り（60～110 mJ/cm2）、光顕比較した。図１にプロセスフローおよび条件を示す。レジスト塗布後にマスクレス露光装置 AT-006にて露光し、現像後Al/Tiをスパッタ成膜装置（芝浦）AT-025 で成膜およびリフトオフした。レジストおよび電極パターンは短波長レーザー顕微鏡[OLS-4100] AT-061で観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
図２に露光条件を振ったときのレジストパターン写真を、図３に拡大写真を示す。露光出力が大きい条件がより綺麗なパターンが出来ていた。 ただし大きぎても間隔が狙いから変わるので、80mJ/cm2が最も良さそうであった。露光出力が小さい場合はレジストが除去しきれずに残ってしまっている可能性があるため、適切な露光出力を選択することが重要であることが分かった。図４は電極形成後の写真で、60～70mJ/cm2の範囲ではレジストの残渣のようなものが見えるため、この結果からも80mJ/cm2以上の出力が適切であることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ プロセスフローと条件
図２ 露光条件振り レジストパターン光顕写真
図３ レジストパターン光顕拡大写真
図４ 電極パターン光顕写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 発表年月2024/10, 17th COLA conference, Kaname Imokawa, Yohei Tanaka, Keita Katayama, Hisato Yabuta, Taisuke Miura and Kouji Kakizaki, "Demonstration of low contact resistance in SiC using high repetition rate KrF excimer laser irradiation"
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件