【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0110
利用課題名 / Title
カーボンナノチューブの高度な半導体応用方法の開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,ナノチューブ/ Nanotube,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
生田 美植
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
杉山 和義
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
AT-006：マスクレス露光装置
AT-023：電子ビーム真空蒸着装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
カーボンナノチューブ膜を半導体デバイスに実装することを目指している。ナノサイズのチューブや膜を主に電子線で評価しているが、チャージアップの少ない評価基板を必要としており、支援機関で基板作成を行った。
実験 / Experimental
基板中の元素として酸素を含まないSiNウェハーを使用し、支援機関のマスクレス露光機でパターニングを行い、電子ビーム真空蒸着装置で導電性金メッシュを形成した。この基板を持ち帰りカーボンチューブや膜を乗せて電子線での評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
図1.に基板に乗せたカーボンファイバーの電子顕微鏡像を示す。基板上の導電メッシュの効果でチャージアップが低減され、クリアな像が得られている。図2.と図3.にカーボンナノチューブ膜のEDS測定結果を示す。チャージアップ低減によりSEM像は安定し、酸素元素を含まないTiN基板であることから、EDS酸素像は感度が高く分布の様子が明確である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 金属メッシュ付き基板上のカーボンファイバー
図2. 基板上のカーボンナノチューブ膜
図3. カーボンナノチューブ膜のDES酸素像
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件