【公開日：2025.07.18】【最終更新日：2025.07.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22RO0031
利用課題名 / Title
シリコンカーバイトを使用した極限環境電子デバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
表面処理,シリコンカーバイト,nMOSFET,リソグラフィ/Lithography,膜加工・エッチング/Film processing and Etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
平本 詩音
所属名 / Affiliation
広島大学工学部第二類
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では高温下でも酸化されにくく、高い融点を持ちSiO2との反応性も比較的低いTiNに着目し、配線とゲート電極にTiNを用いた4H-SiC n/p MOSFETの最大500℃下における動作確認を目的とし、温度変化における移動度としきい値電圧の変化を評価した。
実験 / Experimental
ナノデバイス研究所内のクリーンルームで作製したnMOSFETの顕微鏡写真を図1に示す。
結果と考察 / Results and Discussion
作製したn/p MOSFETに対して30℃から最大500℃まで100℃ずつ加熱し、各温度でのn/p MOSFETの動作を確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 作製したnMOSFETの顕微鏡写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
[1]松波弘之 著, 「半導体SiC技術と応用」、日刊工業新聞社, (2003).
[2]DIETER K
SCHRODER, 「半導体材料・デバイスの評価」, シーエムシー出版, (2012).
[3]志摩拓真 著,「4H-SiC MOS のためのしきい値電圧制御プロセスの研究」, 広島大学修士論文, (2022).
[4]JohnD.Cressler,H.AlanMantooth, "EXTREME ENVIROMENT ELECTRONICS,
(2012).
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- Shion Hiramoto, V. Van Cuong, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, and Shin-Ichiro Kuroki, ICSCRM September 21st,2023
- Shion Hiramoto, V. Van Cuong, Seiji Ishikawa, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda, and Shin-Ichiro Kuroki, IWNT November 22nd,2023
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件