【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24OS0003
利用課題名 / Title
先進電子顕微鏡群を利用した半導体デバイスの各種解析
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology,電子顕微鏡/ Electronic microscope,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
髙田 里菜
所属名 / Affiliation
ローム㈱
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
OS-001：3MV超高圧電子顕微鏡
OS-003：200kV原子分解能走査透過分析電子顕微鏡
OS-008：電界放出型200kV高分解能電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
一般的な透過電子顕微鏡は200kVの加速電圧であり、この装置において観察可能な膜厚は厚めで1μm程度です。このため、不良箇所を捉える可能性は低くなり、厚膜観察可能な超高圧電子顕微鏡の利用に至りました。主にSi系のデバイスであるLSIやトランジスタを観察することで、不良箇所の特定を行っております。
実験 / Experimental
サンプルはFIBで加工したものを準備致しました。サンプルの厚さは4μmであり、Siにおける結晶欠陥等の有無について、超高圧電子顕微鏡を利用して観察を行いました。
結果と考察 / Results and Discussion
超高圧電子顕微鏡を利用してLSIやトランジスタのデバイスについて、厚さ4μmのサンプルを観察することでSiに結晶欠陥を確認することができました。また、更にサンプルにTilitをかけることで奥行き方向にどのように結晶欠陥が伸びているかを3次元的に捉えることができました。結晶欠陥はpnジャンションを跨ぐように生じていた為、不良原因として特定することができました。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1_結晶欠陥模式図
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件