【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0037
利用課題名 / Title
波長制御サンプルの作製/Development of Wavelength-Controlled Films
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ/ Lithography,メタマテリアル/ Metamaterial,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西川 佳樹
所属名 / Affiliation
住友ベークライト株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
八重樫光志朗,鶴谷敏則
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-057：レーザ描画装置
TU-062：コータデベロッパ
TU-063：i線ステッパ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコンウエハを加工してナノインプリント型を作製するために、i線ステッパを用いて微細パターンレジストをウエハ上に形成し、プラズマエッチングで表面加工を実施。露光用のクロムマスクの作製も実施した。
実験 / Experimental
i線ステッパ用の露光用クロムマスクを作製。コータディベロッパでi線露光用レジストを標準条件で塗布。露光後、標準条件でPEB、現像を実施。DeepRIEでエッチングした後、レジストを剥離してシリコン型を得た。
結果と考察 / Results and Discussion
露光用クロムマスク作製、初回作製時にガラス基板を露光する装置にセットする際に10～20 µm程度回転していて露光機でアライメントを読めないエラーが発生。また手動でエッチングなどをするため線幅が狙いより太くなった。その影響でi線露光時も設計値よりも太いパターンになってしまった。２度目はセットも問題なく、エッチングなども標準通り実施、パターンも設計値通り作製できた。
i線露光、現像、エッチングでは露光用マスクの値に対してのずれが大きいパターンとなってしまったがこの結果の検証はできていない。レジスト現像後のDeepRIEは予定通り500 nm程度の深さで加工でき、再現性も確認した。得られたナノインプリント用シリコン型はFig. 1に示す。また、微細パターンの一部例をFig. 2に示す。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 ナノインプリント用シリコンウエハ型
Fig. 2 シリコンウエハ上のナノパターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件