【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24TU0048

利用課題名 / Title

シリコンダイヤフラムの開発

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

センサ/ Sensor,CVD,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

鈴木 勝順

所属名 / Affiliation

合同会社スピードラボ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-053：アクテス スピンコータ#2
TU-058：マスクレスアライナ
TU-154：住友精密TEOS PECVD
TU-201：DeepRIE装置#1
TU-001：エッチングチャンバー

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SOI wafer を用いて、活性層部分のみを残したシリコンダイヤフラムの製作を行った。

実験 / Experimental

活性層の表面に絶縁膜をCVD装置にて成膜した。その後、活性層側にアライメント用のパターンをマスクレスアライナーにて描画し。絶縁膜はドラフトチャンバーにてBHFで除去した。支持層側のパターンもマスクレスアライナーにて描画し、支持層側のエッチングはDeepRIEにて行った。SOIのBOX層はドラフトチャンバーにてBHFで除去した。

結果と考察 / Results and Discussion

CVD装置にて成膜した絶縁膜は、狙いの膜厚から5%以内の膜厚で制御されていた。マスクレスアライナーにて描画したパターンについては、最小寸法が20μm程度であったこともあり、大きな不具合は見られなかった。Deep-RIEでのエッチングは、BOX層にてエッチストップが働き、加工面全体が狙い通りの深さまでエッチングできていることが観察できた。最終的に、おおよそ期待通りの形状が得られた（図1）。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1．完成したシリコンダイヤフラム（支持層側から見た写真）

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件