【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.11】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0081
利用課題名 / Title
微細孔の形成、側壁への成膜
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス,ALD,PVD,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
萩原 洋右
所属名 / Affiliation
パナソニック インダストリー株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-169：多元材料原子層堆積(ALD)装置
TU-151：LPCVD
TU-058：マスクレスアライナ
TU-101：酸化炉
TU-206：アルバックICP-RIE#2
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコン基板に微細孔を形成したデバイスを開発している。デバイス試作には、微細孔加工、微細孔側壁への絶縁膜の形成、微細孔側壁への導体の形成を行う必要がある。これら３つの要素技術を確立し、デバイスを造出することを目的とする。
実験 / Experimental
1.微細孔加工 ： シリコン基板表面にフォトリソにより微細孔パターニングを行い、Deep RIEにより垂直深堀孔を形成した。
2.微細孔側壁への絶縁膜の形成 ： LP-CVDを用いて、孔側壁にSiN膜を成膜した。
3.微細孔側壁への導体の形成 ： LPCVDを用いて、孔側壁にドープドポリシリコン膜を成膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
実験に示した３つの要素工程を実施した。微細孔加工については、Φ１µm、深さ15 µm程度の微細垂直孔がシリコン基板表面に形成されていることを確認できた。
微細孔側壁への絶縁膜形成については、孔底のをSEM観察することにより、薄膜が形成されていることを確認することができた。
微細孔側壁への導体埋め込みについては、孔断面のSEM観察によりポリシリコンが充填されていることを確認することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 微細孔平面写真
図2．微細孔断面写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件