【公開日：2026.04.06】【最終更新日：2026.04.06】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NR5038
利用課題名 / Title
固体表面薄膜材料系の作製と構造分析
利用した実施機関 / Support Institute
奈良先端科学技術大学院大学 / NAIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
ARIM半導体基盤PF関連課題 / Related to ARIM-SETI
指定なし/No Designation
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
固体表面材料,電子顕微鏡/ Electronic microscope,電子分光/ Electron spectroscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
山本 裕太
所属名 / Affiliation
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学領域物性情報物理学研究室
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
武田さくら,服部賢
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NR-401：多機能走査型X線光電子分光分析装置
NR-201：多機能分析走査電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究は、固体表面に現れる特異的な物性を解明するため、固体表面材料の作成及び、性能評価を行う。
実験 / Experimental
測定には、Si、SiCを用いており、表面処理した材料にたいして、XPSによる表面の化学状態解析、SEM-CLによる表面欠陥の調査を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
窒素ドープを施したSiCではXPS測定及び、表面の欠陥状態を判別するために、SEM-CLの入射角度依存性を測定した。XPSではドープされた窒素のピークが明瞭に確認できたが、SiやＣのピークに酸化物に由来すると思われるケミカルシフトが観測された。この結果により、表面処理による酸化膜除去が十分にできていないことが判明した。またSEM-CLでは入射電子線の角度を変化させることで特定のピークの強度が変化することがえられた。この結果により、表面に由来する欠陥情報が得られたことが示唆される。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Juharni, Mechanistic Origin of a Stable Magnetic Vortex in Three-Dimensional Pyramid Fe Thin Films, Magnetism, 6, 6(2026).
DOI: org/10.3390/magnetism6010006
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件