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“AT-082“ で検索した結果 37件
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- 23AT0135
- 光デバイスの作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0143
- 超高温環境で動作するAlNデバイスの作製
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0144
- 導電性サファイアの実現
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0163
- 半導体基板の直接接合のための塩素終端の分析
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0188
- 相変化材料を利用したプラズモニックデバイスの作成
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0196
- GaN MOSFETプロセスの開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0282
- 窒化物半導体デバイスの研究開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 23AT0295
- 化合物半導体微細加工技術の開発
- 2024.7.25
- 産業技術総合研究所
- 22AT0159
- Investigation of microstructure, composition and passivation performance of silicon nitride, silicon oxide, and titanium nitride thin films
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所
- 22AT0158
- SiN光導波路の作製
- 2023.7.28
- 産業技術総合研究所