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“AT-082“ で検索した結果 37件

表示件数

24AT0008
SiCエピウエハーの表面処理検討
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0022
AlドープしたGaN MOSFETのチャネル特性のMg濃度依存性評価
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0034
超高時間分解能を持つGaN粒子位置検出器の作製
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0066
GaN MOSFETプロセスの開発
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0074
次世代デバイス試作
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0087
相変化材料を利用したプラズモニックデバイスの作成
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0115
単分子誘電体を実装した電界効果トランジスタ及びキャパシタの開発
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0141
窒化物半導体デバイスの研究開発
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0145
Investigation of microstructure, composition and passivation performance of silicon nitride, silicon oxide, and titanium nitride  thin films
2025.6.10
産業技術総合研究所
24AT0156
微細構造の製造技術
2025.6.10
産業技術総合研究所
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