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“AT-082“ で検索した結果 37件
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- 24AT0008
- SiCエピウエハーの表面処理検討
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0022
- AlドープしたGaN MOSFETのチャネル特性のMg濃度依存性評価
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0034
- 超高時間分解能を持つGaN粒子位置検出器の作製
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0066
- GaN MOSFETプロセスの開発
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0074
- 次世代デバイス試作
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0087
- 相変化材料を利用したプラズモニックデバイスの作成
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0115
- 単分子誘電体を実装した電界効果トランジスタ及びキャパシタの開発
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0141
- 窒化物半導体デバイスの研究開発
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0145
- Investigation of microstructure, composition and passivation performance of silicon nitride, silicon oxide, and titanium nitride thin films
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0156
- 微細構造の製造技術
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所