【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0113
利用課題名 / Title
感光性絶縁材料の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
チップレット/ Chiplet,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
石川 信広
所属名 / Affiliation
太陽ホールディングス株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
柴崎香帆,奥田綾乃,杉田健有
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
近年、データ伝送速度の高速化や低消費電力の観点から半導体のさらなる集積化が求められている。その課題解決の一つとして複数の異なるチップを3次元的に接続 するHeterogeneous Integrationが注目を集めている。Heterogeneous Integration ではチップをより効率的に接続するためにファインピッチの再配線層(RDL)が必要となる。さらに、ファインピッチRDLを叶えるためには従来の製造プロセスから大きく変わる可能性があり、そのプロセスでは材料自体が絶縁膜として残ることが想定される。そこで、我々はファインピッチRDL用途の材料をターゲットとし、微細解像性を有する感光性絶縁材料を開発している。今年度はi線ステッパを用いて開発品の解像性評価を実施し、測長SEMを用いて観察を実施した。
実験 / Experimental
8inchウエハ上に開発品を塗布、ソフトベークを行い、i線ステッパにてパターンの露光を実施した。続いてPEB(露光後加熱)、現像を行い、所望のパターンを得た。 また、測長SEMにてパターニング後のウエハサンプルを自動測長し特性評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
測長SEMにより膜厚2.8 µｍにてL/Sパターンの解像性を評価したところ、i線ステッ パによる露光により、サブミクロン領域のパターン形成が可能であることを確認した(図1)。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 測長SEMによるL/Sパターン観察結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件