【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.15】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0150
利用課題名 / Title
ナノギャップデバイスの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
井川 幸一
所属名 / Affiliation
日本特殊陶業 株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
加藤 友文
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
森山雅昭,菊田利行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
金属とSiNの層状構造を有する斜面形成のために、イオンミリング装置での一括エッチングテストを実施した。
実験 / Experimental
4インチのシリコンウエハ上に金属/SiN/金属/SiN膜を積層して成膜し、フォトリソでパターンを形成、その後、イオンミリング装置で当該膜の連続エッチングを実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
図1にイオンミリング装置でエッチングをしたサンプルの断面の模式図を示す。作製したサンプルの断面形状は金属膜の傾きが緩やかでSiN膜の傾きがやや急になっていた。これはSiNのエッチングレートが金属のエッチングレートより早いことが要因だと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 エッチング断面の模式図
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本実験の実施にあたり、森山雅昭様、菊田利行様には大変お世話になりました。感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件