【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0184
利用課題名 / Title
KMPRの厚膜リソグラフィ
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
光露光（マスクアライナ）/ Optical exposure (mask aligner),リソグラフィ/ Lithography,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
天野 晏年
所属名 / Affiliation
住友精密工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
平田泰之
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
邉見政浩
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-051：ミカサ スピンコータ
TU-054：ホットプレート
TU-055：クリーンオーブン
TU-056：両面アライナ
TU-060：現像ドラフト
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
厚膜フォトレジストであるKMPRの60 µm厚のパターニングについて、東北大学試作コインランドリにて露光条件だしを行う。
実験 / Experimental
【使用フォトレジスト】
KMPR1035
【実験条件】
(a) TU-055 クリーンオーブンで、基板の水分を除去
(b) TU-051 ミカサスピンコータで、KMPRを60 µmt狙いで塗布
(c) TU-054 ホットプレートで、80℃で10min, 100℃で20 minベーク
(d) TU-056 両面アライナで、露光 1400～2000 mJ/cm2 (i線)
(e) TU-054 ホットプレートで、100℃で4 minベーク
(f) TU-060 現像ドラフト内で、2.38%のTMAHで8 min現像
結果と考察 / Results and Discussion
図1に1440 mJ/cm2で露光・現像後のレジスト断面形状を示す。
露光量1440 mJ/cm2での露光でもマスクより狭い開口となり、レジストの断面形状は樽のように、レジスト厚さの中央付近が膨らんだ形状となった。
これは、露光量が過多であったことが原因と考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 1440mJ/cm^2で露光・現像後のレジスト断面形状
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件