【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TU0196
利用課題名 / Title
Siバネの作成
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
芦原 義樹
所属名 / Affiliation
オムロン株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-201：DeepRIE装置#1
TU-216：Vapor HFエッチング装置
TU-056：両面アライナ
TU-310：レーザ／白色共焦点顕微鏡
TU-211：プラズマクリーナー
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
検査ピンへの応用として、SOIウェハに、フォトリソグラフィ、Deep-RIE、その後、VaporHFプロセスを行い加工することで、Siバネを作製する。
実験 / Experimental
【実験内容】
フォトリソ設備を拝借してパターン形成し、その後、DRIEでSiを垂直加工する。エッチングレートは、共焦点顕微鏡で確認する。
その後、Vapor HFでバネ下部のBOX層をエッチングする。
結果と考察 / Results and Discussion
【結果】狙った通りの寸法や形状はできている。
【考察】Vapor HFのレートが装置の標準条件よりもやや遅く、抜け残りが発生する箇所があった。次回Vapor HFを使用時はサイクル数をアップして処理するようにする。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 （左）プロセスフロー、（右）フォトマスクレイアウト
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件