【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.10】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0337
利用課題名 / Title
超伝導デバイスの断面観察
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
超伝導/ Superconductivity,集束イオンビーム/ Focused ion beam
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤井 剛
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
飯竹 昌則
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
超伝導トンネル接合(STJ)アレイX線検出器は、軟X線に対して、半導体X線検出器に匹敵する効率と波長分散型検出器に匹敵するエネルギー分解能を有している。このような高性能なX線検出器と走査電子顕微鏡を組み合わせ、ナノスケールまで集光された電子プローブを用いた高効率X線発光分光（XES）で、ナノスケール化学状態分析を可能にする分析装置開発を行っている[1]。高X線検出効率を実現するためには、多層配線技術を活用した高密度構造が必要である。
今回は、多層配線構造適応したSTJの断面形状評価を行うため、集束イオンビーム加工観察装置（FIB）を用いて断面形状観察を行った。
実験 / Experimental
STJの断面形状を評価するため、FIBにて断面作製を行い、SIM観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1にSIM像の一例を示す。材料によるコントラストの違いが明瞭に出ており、Si基板上の埋め込みNb配線上にNb/Alのジョセフソン接合はキレイにできるていることが分かった。また、ジョセフソン接合の上部電極に対してもNb配線のコンタクトも問題なくできていることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Cross-sectional SIM image of STJ
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
[1] G. Fujii. et. al., X‐ray Spectrometry, 46, 325 （2017）
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件