【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.10】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0069
利用課題名 / Title
強誘電体ゲートFETの開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
X線回折/ X-ray diffraction,エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高橋 光恵
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
木塚 優子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
強誘電体ゲート電界効果トランジスタ（FeFET）開発の目的で、Bi層状ペロブスカイト強誘電体薄膜を作製評価し、その最適な作製条件を探査した。成膜条件および結晶化アニール条件を変えて用意した複数の薄膜についてX線回折装置(XRD)で結晶性を調べたところある範囲の作製条件で強誘電性多結晶化を示すスペクトルを確認した。
実験 / Experimental
成膜条件および結晶化アニール条件を変えて用意した複数のBi層状ペロブスカイト強誘電体薄膜に対して、 産業技術総合研究所のX線回折装置(XRD)（AT-070）を用いてθ-2θ測定を行うことで結晶性を調べた。
結果と考察 / Results and Discussion
Bi層状ペロブスカイト強誘電体薄膜は成膜条件および結晶化アニール条件を含む作製条件の変化に応じて組成比と電気的な性質が大きく変動することを利用者が別途確認している。XRD（AT-070）を用いたθ-2θ測定はこれら作製条件に応じて異なるピーク位置を示した。本報告にかかるθ-2θ測定結果の一例を図１に示した。当該材料の薄膜について結晶配向性と他の特性との有意な相関が得られる可能性が示唆された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 ある成膜条件で作製したBi層状ペロブスカイト強誘電体薄膜のXRD θ-2θ測定結果。約40°と70°のピークは基板由来。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件