【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.18】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24AT0005
利用課題名 / Title
ALDを用いたマルチパターニング技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ALD,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
鈴木 健太
所属名 / Affiliation
産業技術総合研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
本研究では原子層堆積（ALD）を用いた、微細なパターニング技術の開発や、ナノインプリント（NIL）用のモールド作製プロセスを構築することを目的としている。
実験 / Experimental
ALDを使用したマルチパターニングプロセスの構築として、Self Aligned DoublePatterning（SADP）の検討を行った。ALD成膜には産総研ナノプロセシング施設のサムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]を用いた。SADPのマンドレルパターンに対して温度条件を変えてパターンの外観検査を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
マンドレルパターンに対して、50℃、200℃、300℃、400℃の温度条件で30nm膜厚を目標に成膜した。各温度条件で成膜したサンプルの外観検査を行い、温度条件によらずマンドレルパターンのパターン品質が変わらないことを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
SiO2_ALD_30nm厚
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件