【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KU1024
利用課題名 / Title
GaNのドライエッチング
利用した実施機関 / Support Institute
九州大学 / Kyushu Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
高周波デバイス/ High frequency device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
三島 秀治郎
所属名 / Affiliation
九州工業大学大学院 情報工学府
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
中村 大輝,新海 聡子
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
梶原 隆司
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
GaNのドライエッチング後、試料表面の化学結合状態評価
実験 / Experimental
GaNに対して、チャンバー内材料を変化させてドライエッチングを施し、XPSで評価
結果と考察 / Results and Discussion
チャンバー内の材料に応じたGaN表面の化学結合状態の違いが観察された。具体的には、石英およびSi材料特有の元素が検出され、GaNの表面形態が異なる原因が明らかとなった。これは、チャンバー内の材質もプラズマ中でスパッタされるためであると考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件