【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0067
利用課題名 / Title
FormFactor 300mm ウェハプローバを用いたシリコンフォトニクスデバイスの特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電気特性評価
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
太田 悠介
所属名 / Affiliation
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
安藤 良洋,穂満 星冴
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
堀川 剛
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-036：FormFactor 300mm ウェハプローバ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
試作したシリコンフォトニクスデバイスの特性を評価し、設計にフィードバックすることを目的とし、ウェハプローバを用いてデバイスTEGの測定を行った。
実験 / Experimental
ウェハ上に形成されたシリコンフォトニクスTEGを、ウェハプローバ(IT-036:FormFactor 300mm)を用いて測定した。カットバック法によるデバイスの透過率測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
導波路検討について、透過率の波長依存性とその面内分布は妥当な値であることが確認できた。図1に代表的な導波路TEGの評価結果を示す。また、その他のシリコンフォトニクスにおけるパッシブデバイスのTEG評価結果についても概ね所望の結果が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 導波路TEG評価結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
測定実施にあたっては、東京科学大学 堀川特任教授に多大なご協力を頂きました。厚く御礼申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件