【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24IT0060
利用課題名 / Title
PCVDによるSiOxの成膜
利用した実施機関 / Support Institute
東京科学大学 / Science Tokyo
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
トポロジカル量子物質/ Topological quantum matter,フォトニクス/ Photonics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
西山 黎
所属名 / Affiliation
東京科学大学工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
BiSbはバンドギャップが20 meV ～200 meVであることから、遠赤外～THz領域の検出材料として利用が期待できる。今回はBiSbを中赤外の吸光発熱材料として利用したPTE検出器の作成に向け、CVDによる絶縁層の成膜を試みた。サンプル構造は「磁性層/絶縁層/BiSb/金属層」となっており中赤外光をあてるとBiSbがその光を吸収し発熱する。その熱が絶縁層を介して磁性層に向かって伝搬し、積層方向に温度勾配が発生する。さらに光照射と同時に磁場をかけることで、磁性層には温度勾配、磁化が掛かる状況になり、異常ネルンスト効果により面内方向に起電力が発生する。その起電力を測定し、遠赤外～THz領域の光を検出するという仕組みである。絶縁層がない場合は面内方向のBiSbのゼーベック起電力と区別することができないため、絶縁層が必要になる。今回、BiSb上にSiOxを成膜し、テスターによって絶縁性の有無を確認した。
実験 / Experimental
本装置の「レシピ番号2（TEOS流量:1 sccm,、O2流量:233 sccm、RFパワー:70 W）」を選択し、その条件下でプロセス時間を変えながらBiSb膜上にSiOxを成膜し、テスターで表面にプローブをあて絶縁性の有無を確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
一定の成膜時間にしたところ絶縁性が確認できた。膜厚は測定していないが、スパッタ装置でSiO2を成膜した場合に比べ薄膜でも絶縁がとれた可能性が高い。理由としては、CVDで製膜した方が結晶性がよいことなどが考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１．BiSb/SiOxの抵抗
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件