【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24RO0031
利用課題名 / Title
低温成長GaAs系混晶半導体の特性に熱処理が与える影響
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ホール効果,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
森本 章太郎
所属名 / Affiliation
広島大学工学部第二類
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
光伝導アンテナ開発に向けた低温成長GaAs系混晶半導体の特性に熱処理が与える影響の調査
実験 / Experimental
ホール効果測定での低温成長GaAs系混晶半導体の抵抗率測定
結果と考察 / Results and Discussion
実験に用いた低温成長GaAs系混晶半導体の抵抗率は低温成長GaAsよりも高抵抗化し，熱処理を施すとより高抵抗化する可能性がある．抵抗率が上昇した理由としてはAsのホッピング伝導が抑制された可能性が考えられる．また，熱処理した試料はエラーで測定できなかったが，装置の測定限界は1 MΩで今回測定した試料は測定限界を超えた可能性も考えられる．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件