【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.10】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24NU0225

利用課題名 / Title

Siセンサーチップの微細加工

利用した実施機関 / Support Institute

名古屋大学 / Nagoya Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代バイオマテリアル/Next-generation biomaterials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

光学顕微鏡/ Optical microscope,ダイシング/ Dicing,バイオセンサ/ Biosensor,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

宇理須 恒雄

所属名 / Affiliation

株式会社NANORUS

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

長岡 靖崇,王 志宏

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

加藤 剛志,大住 克史

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

NU-209：ICPエッチング装置
NU-210：ダイシングソー装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

目的：培養型プレーナーパッチクランプ装置の操作に必要なSiセンサーチップの微細加工を行う
用途：センサーチップ表面上で神経細胞ネットワークを形成する
実施内容：SiSOI基板に所定のパタンを形成し、このパタンをマスクとして、深堀ドライエッチング（NU209）を行った後、ソーター（NU210）で  11mm角のチップに切り出す。

実験 / Experimental

SiSOI基板にCrやネガレジストSU８をコートし、所定のパタンをEB露光やマスクレス露光によりパタン形成を行う。これらのパタン形成は分子科学研究所の施設利用で行った。
これらのパタン形成を行った基板を名古屋大学に持参し、NU209の深堀エッチング装置で微細加工したのち、NU210のダイシングソーにより11mm角のチップに切り出した。

結果と考察 / Results and Discussion

予定通りの微細加工をセンサーチップに施すことができた。このセンサーチップを光学顕微鏡で観察したところ、深堀エッチング時に穴あけ加工の底面にブラックシリコンの堆積が観察された（図1）。現在この堆積のない条件の探索を進めている。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１ 光学顕微鏡で観察されたブラックシリコン

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

・分子科学研究所も利用（JPMXP1224MS8001）

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件