【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24NU0201
利用課題名 / Title
波長可変レーザのプロセス開発
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
プラズマエッチング/ Plasma etching,フォトニクス/ Photonics,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
石田 周太郎
所属名 / Affiliation
santec OIS株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
Tei Jo,Hu Nan
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-231：マスクレス露光装置
NU-226：RIEエッチング装置
NU-234：ICPエッチング装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
我々は、次世代の波長可変光源に関する光半導体プロセス開発における研究開発を行っている。本半導体プロセスの実施にあたり、所望の形状を実現すべくリソグラフィおよびエッチングを装置を用いたデバイス構造に適したプロセス条件およびプロセス設計を推進できるよう、ARM事業における名古屋大学オープンファシリティを利用し、以下の内容を実施した。1. 光半導体デバイス構造の確立 2. デバイス構造を実現するプロセス設計およびプロセス条件の確立
実験 / Experimental
マスクレス描画装置を利用し、デバイス構造の条件振りおよびプロセス条件振りを行い、試作を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
1. 名古屋大学のオープンファシリティーを利用することで、設計した光半導体デバイスの特性を評価し、設計デバイスの妥当性を確認した。 2. 社内における試作プロセス結果とオープンファシリティを用いて試作した結果を比較することで、プロセス条件設定における妥当性を確認した。 一方で、プラズマCVDで成膜したSiO2の膜質（密度、機械的特性）やRIE-ICPを用いた光半導体における光学特性への影響など課題が見つかり、 引き続き対策を打って問題解決に至ることが必要である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件