【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UE0323
利用課題名 / Title
MPCVDダイヤモンドの評価
利用した実施機関 / Support Institute
電気通信大学 / UEC
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
ナノカーボン/ Nano carbon,電子顕微鏡/ Electronic microscope,エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
塚本 貴広
所属名 / Affiliation
電気通信大学 大学院情報理工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
山崎 翔平,山本 翔太
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
北田 昇雄,三崎 亜衣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
UE-006：顕微レーザーラマン分光計
UE-011：電子線元素状態分析装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Si基板上に形成したダイヤモンドにおけるSi不純物の取り込みを電子線元素状態分析装置を用いて評価した。また、ボロンをドーピングしたダイヤモンドをSi基板上に形成して、その結晶性や歪評価を顕微レーザーラマン分光計を用いて行った。
実験 / Experimental
マイクロ波プラズマ化学気相堆積法により、Si基板上にダイヤモンドを形成した。作製したサンプルにおいて、電子線元素状態分析装置を用いて元素分析を行った。次に、ボロンをドーピングしたダイヤモンドをSi基板上に形成して、顕微レーザーラマン分光計を用いて結晶の評価を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
電子線元素状態分析装置の結果をFig. 1に示す。この測定から、Siがわずかに検出されたが、その他の不純物は確認されなかった。顕微レーザーラマン分光計の結果をFig. 2に示す。この結果から、ダイヤモンドへのボロンのドーピングが行われていることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. １Si基板上ダイヤモンドの元素分析
Fig. 2 Si基板上ボロンドープダイヤモンドのラマンスペクトル
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件