【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.19】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UE0042
利用課題名 / Title
半導体ナノ材料と次世代光電変換デバイスの基礎研究
利用した実施機関 / Support Institute
電気通信大学 / UEC
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
形状・形態観察
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
沈 青
所属名 / Affiliation
電気通信大学 大学院情報理工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
北田 昇雄,三崎 亜衣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代太陽電池やLEDの材料として期待されているハロゲン化鉛（Pb）と錫（Sn）混晶ペロブスカイト量子ドットの作製条件の最適化と物性の解明のため、SnとPbの比率の違いによる量子ドットの形状やサイズ分布及び欠陥の種類や密度の変化および光物性の変化を調べる。
実験 / Experimental
作製した異なるSn/Pb比率のペロブスカイトCsSnxPb1-xBr3量子ドット試料を透過電子顕微鏡を用いてTEM像を撮影した。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1にCsSnxPb1-xBr3（x = 0, 0.007,0.093）量子ドットのTEM像を示す。SnとPbの比率が異なる11個の量子ドットの試料を測定したところ、Snを含む試料には、オレンジ色の円で示した点欠陥の集積や、オレンジ色の矩形で示した面欠陥を含む、さまざまな欠陥が広範囲に存在していることが分った。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM image of CsPbxSn1-xBr3 quantum dots (QDs)
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Dandan Wang, Deciphering the Atomic-Scale Structural Origin for Photoluminescence Quenching in Tin–Lead Alloyed Perovskite Nanocrystals, ACS Nano, , (2024).
DOI: 10.1021/acsnano.4c01674
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件