【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24UT0341
利用課題名 / Title
反強磁性体を用いた半導体材料の開発
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
X線回折/ X-ray diffraction,スピントロニクス/ Spintronics,トポロジカル量子物質/ Topological quantum matter
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
小川 真輝
所属名 / Affiliation
JSR株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
府川和弘,飯盛桂子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）,機器利用/Equipment Utilization
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻中辻研究室様との社会連携講座として、トポロジカル反強磁性体を用いたMTJを開発する。その一環で、様々な基板にスパッタリングもしくはMBEで成膜し、その薄膜サンプルの結晶性・平坦性を評価する。
実験 / Experimental
様々な成膜条件 (ターゲット元素，成膜温度など) で薄膜サンプルを作製する。その評価の一つである結晶性および膜厚の測定として、ARIMのSmartLab (3kW) を使用。
結果と考察 / Results and Discussion
SmartLabにより、成膜条件違いによる結晶性の程度の違いを明確に把握できた。たとえば、参考文献に対して成膜温度を過度に上げると、2Θ/Θ測定において文献にはないピークが発生し、狙い通りの結晶を得られないことがわかった。また、XRRによる膜厚計算によって成膜時の狙い膜厚との乖離を把握できた。成膜精度や再現性の向上を図ることができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
当実験の内容に関しご指導いただきました東京大学理学系研究科中辻研究室様へ御礼を申し上げます。XRDの技術補助にご協力いただきました府川様、飯盛様へ御礼を申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件