【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.04.11】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24HK0096
利用課題名 / Title
スパッタリングによる金属薄膜の成膜
利用した実施機関 / Support Institute
北海道大学 / Hokkaido Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
表面・界面・粒界制御/ Surface/interface/grain boundary control,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
工藤 雅嗣
所属名 / Affiliation
株式会社菅製作所 営業部
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
細井 浩貴,纐纈 ゆかり,アグス スバギョ,末岡 和久
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Ti及びCuの各ターゲットにおける成膜レートを確認する。
実験 / Experimental
スパッタ装置で成膜を実施。段差計での膜厚の測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
成膜条件 ガス種：アルゴン、放電圧力：0.48Pa、T/S距離：80mm、基板回転：5rpm、RFパワー：200W、スパッタ時間：15min、サブストホルダー中心部において下記成膜レートが得られた。
Ti：9.1nm/min（非磁性体用マグネット）
Cu：32.7nm/min（磁性体用マグネット）
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件