【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24KT2389

利用課題名 / Title

フォトレジストのパターン現像

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

半導体微細加工,レジスト材料,電子線リソグラフィ/ EB lithography

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

田中 一生

所属名 / Affiliation

京都大学　大学院地球環境学堂

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

伊藤峻一郎

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

江崎裕子

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-101：高速高精度電子ビーム描画装置
KT-108：レジスト塗布装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体微細加工技術は、レジスト材料によるパターニングと現像のプロセスによって実現されている。微細な構造パターンを高精度かつ歩留まりよく製造するための基礎技術を確立するため、レジスト材料の機能化を進めている。本研究では、既存レジスト材料に添加剤を加えることでパターン作製能の変化を評価した。

実験 / Experimental

洗浄した酸化膜付きn型シリコン基板をヘキサメチルジシラザン蒸気に暴露し熱処理し、レジスト塗布装置（KT-108）を用いてレジスト材料を製膜した。得られたレジスト膜の膜厚は、光干渉膜厚計によって評価した。高速高精度電子ビーム描画装置（KT-101）によってパターンを描画し、洗浄液によって現像した。

結果と考察 / Results and Discussion

ネガ型レジストとしてNEBを採用し、添加物の有無による現像精度を評価した。代表的なパターンとして、ライン＆スペース200 nmを用いて、FE-SEMによって現像後のパターンを観察したところ、添加物の有無によらず良好なパターンが得られた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図１．現像後のFE-SEM画像。左：(a) 添加物あり、右：(b) 添加物なし。

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件