【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24TT0033

利用課題名 / Title

フォトレジスト材の検討

利用した実施機関 / Support Institute

豊田工業大学 / Toyota Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

立体サンプルのパターニング,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

志村 英一

所属名 / Affiliation

東京応化工業株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

佐々木実 教授

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

当社がこれまで半導体プロセス用に開発したフォトレジストについて、機械部品類むけ立体フォトリソグラフィなど、他分野への応用可能性を検討する。潜像付きフォトレジスト膜を対象物に貼り付ける立体フォトリソグラフィでは、直接Siウェハにスピン成膜するSi基板向けとは異なる特性が求められる。当社が持つ各種のフォトレジストが利用可能かについて参考となる、既知の実験事実を参考にアドバイスを得る。具体的には、ネガ型レジスト TSMR-iN032 MG, 8.5cP （膜厚0.8～1.2µmで幅0.35µm程度のライン-アンド-スペース実現用に開発された）は架橋部での耐熱性が高いためレジスト膜が貼付くには、ノボラックーナフトキノンタイプのポジ型レジストよりも高温が必要になることを懸念した。対して、Siウェハ塗布時には200℃でプリベークする日本ゼオン製EBレジストZEP520Aが、貼付け時の基材となる水溶性ポリマーのポリビニルアルコールPVAが結晶化しない80℃にて潜像付き膜の貼付けとパターンの現像ができている事例を知り、貼付けプロセスの検討が可能であると分かった。

実験 / Experimental

結果と考察 / Results and Discussion

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件