【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.15】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24TT0031
利用課題名 / Title
中赤外プラズモン局在増強場が得られるグラフェンナノ構造体の作製
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
プラズモニック,リソグラフィ/ Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
工藤 哲弘
所属名 / Affiliation
豊田工業大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
赤瀬大地
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐々木実,花木美香
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
中赤外光の局在場を用いた光マニピュレーションの実験を行うことが研究目的である。グラフェンナノ構造体を作製し、利用することで中赤外光をナノ領域に局在できることは知られている。2024年度ではナノプロセスの準備段階として電子線描画装置等を用いた準備実験を行った。
実験 / Experimental
シリコンウエハに電子線描画用のレジスト(ZEP520A)をスピンコートにより塗布し、電子線描画を行った。基本的なオペレーショントレーニングも実施した。サンプルの置き方、試料台の移し方や、電流値やスティグマの調整方法を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
目的の50nm程度の加工を行うための条件出し(電流値や露光時間等)を行うことができた。来年度はグラフェン単層シリコンウエハを用いた同様の加工実験を行い、ナノ構造体作製を目指す。描画したあとに酸素プラズマによるエッチングを行い、目的の構造ができているのか確認する必要がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
電子線描画後のSEM像。シリコンウエハの上に電子線描画用のレジストを塗布し、電子線描画している。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件