【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24BA0052
利用課題名 / Title
IM4000イオンミリング装置を利用したSEM試料断面の作製
利用した実施機関 / Support Institute
筑波大学 / Tsukuba Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
GaN, Cathodoluminescence, TEM,イオンミリング/ Ion milling,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
陳 君
所属名 / Affiliation
物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
関口隆史
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
窒化ガリウム（GaN）は、固体照明やパワーエレクトロニクスへの応用が期待され、注目を集めています。 GaNは自発分極性を有し、c軸に沿って配向した多層構造では、歪み誘起分極も発生します。この問題の解決策は、無極性m面 GaN 基板を使用することである。本研究では、断面サンプリング技術に基づいてシード上に成長させたm面 GaN 層を、カソードルミネッセンス（CL）および透過型電子顕微鏡（TEM）を用いて、構造的および光学的に評価した。
実験 / Experimental
イオンミリング装置（日立 IM4000）を使用して、断面試料を準備した。CL特性評価は、表面（m面）および断面（c面）の両方で実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
ARIMイオンミリング装置を使用することで、良好な断面試料を得ることができました。 種結晶成長端において基底面積層欠陥（BSF）の存在が確認されました。ほとんどの積層欠陥はI1型のBSFであり、3.42 eVにピークを持つ特徴的な発光を示した。また、少数のI2型のBSFも存在し、3.33～3.38 eVの発光エネルギーで発光を示した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件