【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2432
利用課題名 / Title
広帯域な方向性結合器の集積化
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ボールボンディング,集積回路,ワイヤーボンディング/ Wire Bonding
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
金城 良守
所属名 / Affiliation
大阪工業大学 工学部電気電子システム工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
大室樹生
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
高橋英樹
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
東京大学d.labのIC試作サービスを利用して作製したシリコンチップの特性評価のために、ボールボンディングを実施した。また通常のICと評価基板間のボンディングも行った。
実験 / Experimental
チップ上のAlパッドは開口65μmで、Φ25μmのAuワイヤーボンディング（KT-224）を行った。評価基板はワイヤーボンディングに対応した厚膜金メッキ仕様にしている。
結果と考察 / Results and Discussion
チップ上のパッドへのボンディングは、条件出しが完了したことでほぼ失敗することなくできるようになった。一方PCB（基板）側は厚膜金メッキ仕様に変更し、密着性を高めるはずであったが、実際はボンディングの失敗率が上がってしまった。対策として剥離した箇所のワイヤーを再度ボールボンディングした。ちなみに、セカンドボンディング条件を変更したものの、ワイヤー外れは根本的に解決できなかった、恒久的な解決策として、2025年からは金メッキの仕様を変更する予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 チューナブルカプラーの構成
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件