【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.02.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24OS1039
利用課題名 / Title
電子ビームリソグラフィーのシミュレーションに関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
濱路 政和
所属名 / Affiliation
日本コントロールシステム株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
電子ビームリソグラフィーによる現像後レジスト像に関する精緻なシミュレーションの実施のためのテストパターンの描画
実験 / Experimental
PHS ベースのモデル化学増幅型レジストに対して 135keV による描画、PEB、現像を行った。レジストの組成や各処理の実行条件を変え、必要な微細パターンの描画と測定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
各プロセス条件やレジストの膜圧制御によって 30nm 程度の L/S パターンを描画することができた。該当の結果を使用してプロトタイプシミュレータ用のパラメータ出しを行い、一定の精度がでていることが確認できた。
今後より複雑なモデル用のパラメータ取得のための実験を継続していく。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件