【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.02.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24OS1025
利用課題名 / Title
水中合成法による酸化物表面パターン作製
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
ナノワイヤー・ナノファイバー/ Nanowire/nanofiber,電子線リソグラフィ/ EB lithography,リソグラフィ/ Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
岡本 一将
所属名 / Affiliation
大阪大学 産業科学研究所 古澤研究室
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
水中で酸化物半導体をナノスケールで制御しながら作製する水中光合成法とリソグラフィーによる表面パターニング技術を組み合わせた独自の手法を用いて、
デバイスの作製を行うための大電流電子線描画についての検討を行った。
実験 / Experimental
300 nm酸化膜付きシリコンウエハ上にZEP520Aレジストを用いてARIMの高速大殿面積ビームリソグラフィー装置(ELS-S50LBC)によるレジストパターンの形成を行った。パターン観察は光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡により行った。
結果と考察 / Results and Discussion
水中合成法による酸化物によるデバイスの形成のために高速で10 mm角程度の面積が必要となるため、大電流描画によるスループット向上が望まれる。また、FET作製のためには、導電性のないシリコン酸化膜上での電子線リソグラフィをチャージアップなしで行う必要があるため、水溶性導電性膜をZEP520Aの上に形成させることで、大電流条件(200 nA)でのパターン形成について検討した。その結果最小500 nm程度のパターンがチャージアップなしで形成可能であることが分かった（図１）。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. ZEP520Aと導電性膜を用いた電子線リソグラフィにより作製したラインアンドスペースパターン.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件